传统整流：使用二极管（如肖特基二极管）进行整流。二极管具有单向导电性，但存在一个固定的正向导通压降（通常为0.3V-0.7V）。当通过大电流时，导通损耗（P_loss = Vf * I）非常可观，导致效率降低和发热严重。

同步整流：用导通电阻极低（Rds(on)）的功率MOSFET 来替代二极管。通过专门的控制电路，精确地控制MOSFET在需要导通时打开，在需要关断时关闭，实现单向导电的功能。由于MOSFET的导通压降（Vds = I * Rds(on)）可以做得非常小（毫伏级），因此能极大地降低导通损耗，提升效率。

同步整流技术可以应用于多种开关电源拓扑中：

反激式同步整流：这是最常见、最广泛的应用，尤其是在小功率适配器和充电器中。它将变压器的次级整流二极管替换为SR MOSFET，效率提升非常显著。大部分应用是采用Controller + MOSFET合封为主，以controller +  External  MOSFET以扩大输出功率。

主流封装形式： ◇SOP8 封装 ◇SM7 封装 ◇TO252 封装 ◇TO220F 封装 ◇同步整流控制器 ◇SM10 封装◇PDFN5*6 封装

正激式同步整流：包括有源钳位正激变换器，在次级侧使用SR MOSFET替代续流二极管和整流二极管。

低压大电流以Controller + External MOSFET为主。

LLC谐振半桥/全桥同步整流：在LLC谐振变换器的次级侧，通常采用全波整流或全桥整流。在这里应用同步整流（使用两个或四个MOSFET）可以极大地降低大电流输出时的整流损耗，是高端电源实现高效率（如钛金级效率）的关键技术。

降压变换器中的同步整流：在同步降压电路中，下方的开关管（替代续流二极管）就是典型的同步整流应用。这已经成为现代CPU、GPU供电的标准配置。